以下凯泽金属是关于真空镀膜用钛靶材的全面解析,涵盖其核心特性、应用场景及与其他金属靶材的对比:
1、定义
真空镀膜用钛靶材是通过物理气相沉积(PVD)或磁控溅射工艺,在真空环境下将钛原子沉积到基材表面的高纯度金属材料(纯度≥99.9%),用于制备功能性薄膜(如耐磨层、导电层、光学膜等)。
2、性能特点
特性 | 技术指标 | 功能优势 |
纯度 | ≥99.9%(3N级),特殊场景需≥99.999%(5N) | 减少杂质引起的膜层缺陷 |
密度 | ≥4.5 g/cm³(理论密度4.506 g/cm³) | 提高溅射速率和膜层致密性 |
晶粒尺寸 | ≤50 μm(EBM工艺可达≤20 μm) | 确保膜厚均匀性(偏差<±3%) |
导热率 | 21.9 W/(m·K)(20℃时) | 支持高功率溅射(10-15 kW) |
氧含量 | <500 ppm(光学级要求<100 ppm) | 防止膜层氧化变色 |
3、常用材质牌号
标准体系 | 牌号 | 纯度 | 典型应用场景 |
ASTM B348 | Grade 1 | 99.9% | 工具镀硬质涂层(TiN) |
GB/T 3620.1 | TA1 | 99.9% | 手机盖板防指纹膜 |
JIS H 4650 | TP340 | 99.8% | 汽车轮毂装饰镀层 |
高纯级 | Ti-5N | 99.999% | 半导体金属化层(90 nm节点) |
4、执行标准
标准类型 | 标准编号 | 核心要求 |
国际标准 | ASTM F2884 | 溅射靶材显微组织(晶粒度≤ASTM 6级) |
中国标准 | GB/T 38976-2020 | 高纯钛靶材杂质元素总量≤0.01% |
行业规范 | SEMI F47-0708 | 半导体用靶材电阻率≤50 μΩ·cm |
5、应用领域
行业 | 具体应用 | 膜层性能要求 |
光学器件 | 增透膜(AR)、反射镜 | 可见光波段透过率≥99.5% |
半导体 | 阻挡层(Cu/Ti/SiO₂堆叠) | 台阶覆盖率≥95%(0.13μm沟槽) |
工具涂层 | TiN/TiAlN超硬涂层 | 硬度≥2000 HV |
消费电子 | 手机中框PVD镀膜 | 耐磨性(Taber测试≥5000次) |
6、与其他金属靶材的区别
参数 | 钛靶材 | 镍靶材 | 锆靶材 | 钽靶材 | 铌靶材 |
溅射率 | 0.6 (Ar+ 500eV) | 1.1 | 0.5 | 0.4 | 0.5 |
熔点(℃) | 1668 | 1455 | 1852 | 3017 | 2477 |
电阻率(μΩ·cm) | 42 | 6.9 | 40 | 13.5 | 15.2 |
成本(元/kg) | 800-1500 | 200-400 | 2000-3000 | 5000-8000 | 3000-5000 |
核心应用 | 硬质涂层、导电层 | 磁性薄膜 | 核反应堆防腐层 | 高K介质层 | 超导薄膜 |
7、选购方法
参数匹配:
根据镀膜设备阴极类型选择形状(管靶/板靶/旋转靶)
膜层电阻要求≤10 Ω/□时需选择5N级高纯靶材
质量验证:
要求供应商提供 GDMS报告(确保Fe<50 ppm、C<100 ppm)
使用 EBSD检测 晶粒取向((002)面占比≥60%可提升溅射效率20%)
供应商评估:
优先选择具有 EBM(电子束熔炼)+热等静压(HIP) 工艺的厂家
核查是否通过 ISO 9001 和 IATF 16949 认证
8、注意事项
储存管理:
真空包装需在湿度<40%环境下保存,开封后需在72小时内完成安装
工艺适配:
使用 中频电源(40 kHz) 时,靶材厚度应≥6mm以防电弧击穿
安全防护:
钛粉尘爆炸下限为45 g/m³,加工区需配置 ATEX防爆系统
报废标准:
当靶材表面出现 >3mm深度的侵蚀坑时,膜层均匀性会下降30%以上,需及时更换
钛靶材因其优异的综合性能(性价比、成膜质量、工艺适应性),占据真空镀膜靶材市场约35%的份额(2023年数据)。相较于钽、铌等稀有金属靶材,钛靶的溅射速率快20-50%,且成本仅为1/3-1/5。在精密光学镀膜中,需选用EBM工艺制备的(002)择优取向靶材,配合离子束辅助沉积(IBAD),可将膜层表面粗糙度控制在0.5 nm以下,满足激光陀螺仪等超精密器件的需求。