1、定义
TA1高纯钛靶管是以中国国家标准 GB/T 3620.1 中的 TA1(工业纯钛) 为基础材料,通过二次提纯和精密加工制成的空心圆柱形溅射靶材。其纯度通过特殊工艺提升 99.9%(3N级) 以上,结合管状结构的旋转溅射优势,适用于高效、连续的镀膜生产,尤其在装饰镀层、工业耐磨涂层及中端光学镀膜领域表现突出。
2、性能特点
纯度与杂质控制:
基础TA1纯度 99.5%,提纯后≥99.9%(Fe≤0.05%,O≤0.15%,C≤0.03%)。
杂质定向去除,避免薄膜针孔或电学性能波动。
结构优势:
空心管状设计,旋转溅射利用率达 70-80%,显著降低材料浪费。
壁厚均匀性 ±0.1 mm,溅射膜厚偏差≤±3%。
耐腐蚀性:
在5% NaCl溶液中年腐蚀速率≤0.005 mm,适合海洋环境或化工设备镀层。
热管理性能:
复合铜背板设计,导热系数≥200 W/m·K,适配高功率溅射(≤15 W/cm²)。
3、材质与制造工艺
材质:
基材:TA1钛(GB/T 3620.1),经 电子束区域熔炼(EBZM) 提纯至3N级。
背板:内壁复合无氧铜(OFC,Cu≥99.99%)以增强散热和机械支撑。
制造工艺:
原料提纯:
真空自耗电弧熔炼(VAR):去除挥发性杂质(如Cl、S)。
电子束熔炼(EBM):定向凝固,Fe含量降至≤50 ppm。
管材成型:
热挤压(900-1000°C) → 旋压冷轧 → 退火(消除应力)。
精密加工:
真空电子束焊接(EBW) 密封管端,确保溅射时无气体泄漏。
内外壁镜面抛光(Ra≤0.6 μm),超声波清洗去除表面污染物。
复合处理:
钛-铜界面通过 真空扩散焊(温度800°C,压力50 MPa)实现高强度结合(≥200 MPa)。
4、执行标准
标准类型 | 具体标准 |
国内标准 | GB/T 3620.1(TA1工业纯钛)、GB/T 3625(钛及钛合金管材) |
行业规范 | SJ/T 11609-2016(溅射靶材通用技术条件)、JB/T 8554(工业涂层性能要求) |
国际参考 | ASTM B338(钛及钛合金无缝管)、ISO 5832-2(医用钛材性能参考) |
5、应用领域
装饰镀膜:
智能设备外壳的 氮化钛(TiN)仿金镀层(颜色均匀性优于电镀工艺)。
高端厨具的 碳化钛(TiC)黑色涂层(耐刮擦、防指纹)。
工业耐磨涂层:
注塑模具的 TiCN涂层(摩擦系数≤0.25,寿命提升3-5倍)。
纺织机械导辊的 纯钛镀层(耐纤维磨损,降低维护频率)。
中端光学器件:
相机滤镜的 增透膜(400-700 nm波段透过率≥97%)。
LED封装反射层的 钛基高反射膜(反射率≥92%)。
防腐工程:
海洋平台螺栓的 CrTiN复合镀层(耐盐雾≥1000小时)。
化工阀门的 纯钛防护层(耐酸碱腐蚀,替代哈氏合金)。
6、与其他钛靶管的异同对比
特性 | TA1高纯钛靶管(3N级) | TA2钛靶管 | 4N5级高纯钛靶管 | 钛合金靶管(Ti6Al4V) |
纯度 | 99.9%(Fe≤0.05%) | 99.5%(Fe≤0.20%) | 99.995%(Fe≤0.005%) | 90% Ti + 6% Al + 4% V |
成本 | 中(¥600-1000/kg) | 低(¥400-800/kg) | 高(¥2000-4000/kg) | 中高(¥1000-1500/kg) |
耐温性 | ≤600°C(氧化前) | ≤500°C | ≤800°C | ≤400°C(Al易氧化) |
适用工艺 | 中功率溅射(≤12 W/cm²) | 低功率溅射 | 高功率溅射(≤20 W/cm²) | 共溅射(需Al/V靶配合) |
薄膜性能 | 耐磨/装饰均衡 | 基础防护 | 超低缺陷(半导体级) | 高硬度但易氧化 |
典型应用 | 工具镀层、中端光学 | 防腐镀层、装饰 | 半导体/精密光学 | 航空耐磨部件 |
7、选购方法与注意事项
选购方法
纯度与杂质检测:
要求供应商提供 ICP-MS检测报告,确认Fe≤50 ppm、O≤150 ppm。
若用于光学镀膜,需额外控制 Al、Si≤10 ppm。
几何精度验证:
壁厚公差 ±0.1 mm,同心度≤0.05 mm,直线度≤0.1 mm/m(激光扫描检测)。
微观结构分析:
SEM+EDS:晶粒尺寸≤80 μm,无气孔、裂纹(气孔率≤0.2%)。
供应商筛选:
优先选择具备 EBM+EBW一体化工艺 的厂商(如宝鸡钛业、西部超导)。
验证是否通过 ISO 9001 及 IATF 16949(汽车行业)认证。
注意事项
储存与预处理:
真空铝箔袋充氩封装,储存温度 15-25°C,湿度<30% RH。
使用前 氩离子轰击清洗(功率 5 W/cm²,时间 20分钟),去除表面氧化层。
工艺优化:
TiN涂层:氮气占比 40-60%,基片温度 200-350°C,偏压 -50至-100 V。
纯钛镀层:氩气纯度≥99.999%,溅射气压 0.3-0.5 Pa,避免氧污染。
维护与报废:
定期检查壁厚(剩余厚度<1 mm时更换),防止冷却液泄漏。
报废靶管可重熔再生,但需控制 O含量增量≤100 ppm。
TA1高纯钛靶管通过提纯工艺在保留工业纯钛成本优势的同时,显著提升了杂质控制水平与溅射效率,成为中端镀膜市场的理想选择。其性价比优于4N5级靶管,且比TA2靶管更适合要求较高的耐磨与光学应用。选购时需严格把控纯度、几何精度及供应商的工艺成熟度,使用中需优化溅射参数并定期维护。对于半导体或超精密光学等高端领域,仍需选用4N5级以上靶材;而在工具强化、装饰镀层及一般工业防护场景,TA1高纯钛靶管可实现性能与成本的最佳平衡。