一、钼铌合金靶材的研究进展
在电子行业中，为了提高溅射效率和确保溅射薄膜的质量，要求 Mo-Nb溅射靶材有高纯度、高致密度、晶粒细小及尺寸分布均匀、结晶取向一致等特性。刘等 [58-59] 报道，Mo-Nb 合金靶材的纯度越高，溅射薄膜的性能越好。一般钼溅射靶材的纯度至少需要达到 99.95%（质量分数），而且随着 LCD 行业玻璃基板尺寸的不断提高，要求配线的长度延长、线宽变细，为了保证薄膜的均匀性以及薄膜的质量，要求的钼溅射靶材的纯度也相应提高。
肖等 [60] 研究表明溅射靶材作为溅射中的阴极源，固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。此外，在电子行业中，由于碱金属离子（Na + ，K + ）易在绝缘层中成为可移动性离子，降低元器件性能；夏等 [61] 的研究表明在磁控溅射过程中铀和钛等元素会释放α射线，
造成器件产生软击穿，铁、镍离子会产生界面漏电及氧元素增加等。因此，在 Mo-Nb 合金靶材的制备过程中，需要严格控制这些杂质元素，最大限度地降低其在靶材中的含量。
钟等 [62] 研究表明在溅射镀膜的过程中，致密度较小的溅射靶材受轰击时，由于靶材内部存在孔隙，突然释放的气体会对沉积颗粒造成影响，或对沉积薄膜造成二次电子轰击。这种情况大大影响了薄膜的品质。为了减少靶材固体中的孔隙以提高薄膜性能，所以要求提高溅射靶材的致密度。李等 [63-64] 报道，对 Mo-Nb 合金溅射靶材而言，其相对致密度应该在 98%以上。
王等 [65-66] 报道，通常 Mo-Nb 合金溅射靶材的晶粒大小一般为微米到毫米量级。刘等 [67] 试验研究表明，靶材晶粒越细小其溅射的速率越大，这是由于晶界处的原子激活能低，受到轰击时优先溅射沉积，而且尺寸分布均一的溅射靶材，其溅射薄膜的厚度分布也比较均匀。
侯等 [68] 在研究中表明由于溅射时靶材原子容易从原子密排面溅射出来，因此为提高溅射速率，通常把靶材结构改变为沿密排晶面择优取向。俞等 [69] 研究结果表明 Mo-Nb 合金靶材一般沿（110）晶面择优取向。此外，靶材的结晶方向对溅射膜层的厚度均匀性影响也较大，所以为了提高薄膜的溅射速率需要取得一定结晶取向的靶材结构。
二、钼铌的制备方法
关于Mo-Nb合金靶材的制备方法，目前主要是采用熔炼铸造法、湿氢烧结法和热等静压（HIP），在 Mo-Nb 合金靶材的制备过程中，不仅要严格控制 Mo-Nb 合金靶材的纯度、致密度以及结晶取向，还需保证热处理工艺条件、后续成型加工过程来控制靶材的质量。
（1）熔炼铸造法
熔炼铸造法是通过将一定比例的 Mo-Nb 合金熔融之后在模具中形成铸锭，再将铸锭机械加工和轧制处理，用来改善 Mo-Nb 合金靶材的致密度和晶粒尺寸。其在制备过程中，为了保证铸锭中杂质元素含量低，需要整个过程在真空或保护性气氛下进行。相比于粉末冶金法生产的Mo-Nb 合金靶材，其靶材杂质含量低、致密度高。但实际铸造制备的 Mo-Nb 合金靶材中难以避免材料内部的孔隙，这些孔隙容易造成溅射中微粒的飞溅，其对溅射薄膜质量有一定的影响 [70] 。
（2）湿氢烧结法
湿氢烧结法是将一定比例的 Mo-Nb 混合粉末成型压坯，再将压坯放入烧结炉中烧结致密化的一种方法 [71] 。烧结过程中通入氢气进行保护，其烧结温度为 2000~2200℃，约为其熔点的 70%。
通过该方法制备的 Mo-Nb 合金靶材杂质含量低、晶粒分布均匀，但面临致密度低的问题。
（3）热等静压法
热等静压法是把混合均匀的 Mo 粉和 Nb 粉装入特制的钼包套内置于热等静压机的高压容器中，在高温和高压环境下使得 Mo-Nb 合金烧结致密化的过程。该方法获得的 Mo-Nb 合金靶材晶粒均匀细小，消除了靶材内部颗粒间的缺陷和孔隙，提高了其致密度，而且降低了烧结温度 [72] 。
但是其对设备要求高，而且其生产成本也高。
三、钼铌合金靶材的应用
通过粉末冶金的方法制备的 Mo-Nb 合金靶材后期需要经过不同的处理（锻造、轧制和挤压）来获得不同性能的 Mo-Nb 合金靶材。
锻造Mo-Nb合金靶材主要用于CT靶的制造。碟形Mo-Nb合金靶主要作为X射线管的旋转阳极。
因为它的使用环境在是高真空、高速度旋转和高温的条件下，需要经受高压电子的轰击，所以对靶面不仅要求有良好电特性，而且得具备良好的高温强度、抗冲击性能和耐热性能[73]，并要求无气孔存在，以免射线发生折射和散射，影响CT机成像的清晰度和准确度。为此，在制造Mo-Nb合金靶材时，对其致密度要求较高。
轧制Mo-Nb合金靶材材主要用于平面显示器行业中的TFT-LCD（Thin film transistor- Liquidcrystal display）领域 [74] 。由于Mo具有优良的电导性和热稳定性，使得其被用作TFT制造中的电极、布线材料和阻挡层材料。
与平面 Mo-Nb 合金靶材相比，旋转 Mo-Nb 合金靶结构具有其实质性优点，旋转靶的利用率远高于平面靶，旋转靶如图 1-4 所示 [75] 。 靶的寿命即为溅射功率乘以溅射时间。 从平面靶材到旋转靶材几何结构和设计的改变使得靶材的利用率从 20％到 30％增加到 80％。此外，旋转靶材的寿命一般是平面靶材的 5 倍。 而且由于旋转靶在溅射过程中会不停地旋转，因此其表面不产生重沉积现象 [76] 。
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