陶瓷靶材在现有的复杂电子产品制造中，只不过占工程的较少部分，但起到了信息产业基础先导材料的作用。我国电子信息产业发展很快，陶瓷溅射靶材的需求逐年增多，未来对陶瓷溅射靶材的研究和开发，是我国靶材供应商的一个重要的课题。
随着电子产业的发展，高技术材料逐渐向薄膜转移，镀膜期间随之发展迅速，靶材是一种具有高附加值的特种电子材料，是溅射薄膜材料的源较。陶瓷靶材作为非金属薄膜产业发展的基础材料，已得到从未有过的发展，靶材市场规模日益膨胀。国内的陶瓷平面靶材主要采用烧结及绑定工艺，可生产非常大长度600mm，非常大宽度400mmm，非常大厚度30mm，圆角、斜边、台阶等异形根据客户要求加工。
陶瓷靶材的特性要求：
（1）纯度：陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大，纯度越高，溅射薄膜的均匀性和批量产品的质量的一致性越好。几年来，随着微电子产业的发展，对成膜面积的薄膜均匀性要求十分严格，其纯度必须大于4N。平面显示用的ITO靶材In2O3和Sn2O3的纯度都大于4N。
（2）密度：为了减少陶瓷靶材的气孔，提高薄膜性能，要求溅射陶瓷靶材具有高密度。靶材越密实，溅射颗粒的密度月底，放电现场就越弱，薄膜的性能也越好。
（3）成分与结构均匀性：为保证溅射薄膜均匀，尤特在复杂的大面积镀膜应用中，必须做到靶材成分与结构均匀性好。
溅射陶瓷靶材的制备，常用的成型方法有干压成型、冷等静压成型等。冷等静压成型由于具有坯体密度高而且均匀，磨具制作方便，成本较低等优点，故而成为较常用的成型方法。陶瓷靶材的烧结常采用常压烧结、热压烧结及气氛烧结等方法。
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